Определение типа проводимости полупроводников методом термо-ЭДС

Поскольку энергия, соответствующая половине ширины запрещенной зоны, расходуется на перенос электрона, а та же энергия расходуется на образование дырок, опорная точка для каждого из этих процессов должна находиться в середине запрещенной зоны. Энергия Ферми в полупроводнике — это энергия, из которой происходит возбуждение электронов и дырок.
Характерной особенностью является увеличение проводимости полупроводников с ростом температуры (в металлах проводимость уменьшается с ростом температуры). С точки зрения теории зон — это обстоятельство довольно просто объяснить: с ростом температуры увеличивается число электронов, которые вследствие теплового возбуждения переходят в зону проводимости и участвуют в проводимости. Поэтому удельная проводимость собственных полупроводников увеличивается с ростом температуры. [9]
Одним из наиболее распространенных полупроводниковых элементов является германий, имеющий ромбовидную сеть, в которой каждый атом связан ковалентными связями с четырьмя ближайшими соседями. Упрощенное планарное расположение атомов в кристалле Ge показано на рисунке 3, где каждый след указывает на связь, образованную электроном. В идеальном кристалле при T = 0 K эта структура является диэлектрической, поскольку все валентные электроны участвуют в связывании и, следовательно, не участвуют в проводимости.
center4064000