Моделирование технологических процессов наноэлектроники

Слой двуокиси кремния формируется обычно на кремниевой пластине за счет химического взаимодействия в приповерхностной области полупроводника атомов кремния и кислорода. Кислород содержится в окислительной среде, с которой контактирует поверхность кремниевой подложки, нагретой в печи до температуры T = 900 — 1200 ºС. Окислительной средой может быть сухой или влажный кислород.
Перед помещением подложек в печь необходимо провести их очистку для удаления как органических, так и неорганических загрязнений, появляющихся на предыдущих этапах технологического процесса.
Пылеобразные частицы удаляют либо механической кистевой, либо ультразвуковой отмывкой. Процедура химической очистки обычно заключается в удалении органических загрязнений; её проводят после удаления неорганических ионов и атомов.
Обычная процедура химической очистки выполняется в смеси H2O-HO2-NH4OH, которая обеспечивает удаление органических соединений за счет сольватирующего действия гидроокиси аммония (NH4OH) и окисляющего действия перекиси водорода Н2О2 Для удаления атомов тяжелых металлов используют раствор H2O-H2O2-HCI. Очистка в таком растворе проводится при температуре 75…85 0С в течение 10…20мин., после чего следует охлаждение подложек, их отмывка и сушка в центрифуге.
Схематично вид установки показан на рис. 1 (в современных установках пластины в подложкодержателе располагаются вертикально).