источник однофазного переменного напряжения

В разрабатываемой схеме противофазно переключаются VT1 и VT2. Вследствие того, что при закрывании ранее открытого транзистора (например, VT1) имеется интервал времени рассасывания и спада, VT1 закрывается дольше, в сравнении с открывающимся VT2, следовательно, есть небольшой интервал времени (доли мкс), когда VT2 уже открылся, а VT1 еще открыт, протекает сквозной ток. Подобные обстоятельства можно отнести к любым ключам, в том числе и к MOSFET, IJBT. Для исключения этого сквозного тока необходимо в электронной схеме управления ключами применять элементы задержки, которые задерживают открывание ранее закрытых ключей (для данного случая VT2, но также и VT1, когда он открывается), следовательно, образуется интервал времени (десятые доли мкс), когда VT1 закрылся, а VT2 еще не открылся, т.е. оба они закрыты, что недопустимо, так как действует закон сохранения тока в цепях с индуктивностью и ЭДС самоиндукции может выжечь закрывающийся ключ. Для предотвращения этого включают диоды VD1, VD2, VD3, VD4.
Второй сквозной ток протекает по цепи E VT1-VD2-земля (против направления VD2). Объяснение причин этого тока в следующем. Если диод не быстродействующий, то пара VT1 – VD2 может выгореть. Для предотвращения этого последовательно с VD2, VD4 ставят дроссели. Эти дроссели с малой индуктивностью практически не влияют на импульсные процессы усиления, но замедляют фронт нарастания сквозного тока, предотвращают выжигание.