Моделирование технологических процессов наноэлектроники
Слой двуокиси кремния формируется обычно на кремниевой пластине за счет химического взаимодействия в приповерхностной области полупроводника атомов кремния и кислорода. Кислород содержится в окислительной среде, с которой контактирует поверхность кремниевой подложки, нагретой в печи до температуры T = 900 — 1200 ºС. Окислительной средой может быть сухой или влажный кислород. Перед помещением подложек в печь